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第833章 氮化硅和电子陷阱

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之明啊,早早的就成立了半导体材料研发部门。

这格局,这眼光,这格调。

一个字——绝!

这俩人一唱一和,把陈星搞的都有点不好意思了,自己真不记得2D平面的时候用的什么工艺了,要不是上一世熟读《红星本纪》,估计连这个氮化硅都说不出来。

结果倒好,二人自己就脑补出来了。

“哎?陆教授和林博士这么着急干嘛去了?”

王藤刚进门就看到二人急急忙忙的往外走,给他们打招呼都不带搭理自己的,好奇的问向卢伟兵。

“有点新突破,着急去实验室。”卢伟兵言简意赅的说道。

“哦,陈总你喊我来什么事?平板吗?”

陈星指了指沙发,示意王藤坐下。

“平板的等下再说,杜经理还没到,刚才陆教授告诉我一个好消息,咱们的闪存颗粒量产了,就是性能和功耗上还有一定不足。”

“所以喊你过来说一声,我准备在明年的闪耀2上首发国产的闪存颗粒,你有什么想法没有?”

王藤略作思索,然后就满脸的兴奋,凌霄芯片是闪耀首发。

国产闪存还是闪耀首发。

这是什么?

闪耀才是红星最重要的品牌好不好!

“产能和性能如何?”王藤直指核心的问道。

“按16G装机来计算,约3000万,32G会少一半,性能的话只有三星的70-80%,而且功耗和面积更大一点。”

听到功耗大,面积大,王藤有点为难,主要是闪耀2全系列都到S3了,也就是第三版工程机了,这个版本基本就是最终定型版本。

这时候换国产颗粒,面积功耗更大那就需要动主板设计。

一来二去又得重新搞一下。

“陈总,时间上倒是没问题,距离明年4月还有半年时间,可问题是闪耀2用的是魔改超频H1,发热和功耗就很大,再加上这个闪存,我有点担心散热会……”

王藤刚说完,陈星就笑呵呵的把平板打开递给了他,上面还停留着刚刚陆远江看的那些散热内容。

“这是……”

“新的散热结构?”

王藤有点惊喜的抬头看向陈星,VC液冷散热片,铜管散热,有了这个还怕个der。

玛德,回去就把H1频率再开0.1GhZ试试。

“不错,新的散热结构,VC你不用看,


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